留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

SI和SOI工艺SRAM芯片电磁敏感度的温度效应

吴旭景 王蒙军 吴建飞 李彬鸿 郝宁 高见头 李宏 张红丽

吴旭景, 王蒙军, 吴建飞, 李彬鸿, 郝宁, 高见头, 李宏, 张红丽. SI和SOI工艺SRAM芯片电磁敏感度的温度效应[J]. 工程力学.
引用本文: 吴旭景, 王蒙军, 吴建飞, 李彬鸿, 郝宁, 高见头, 李宏, 张红丽. SI和SOI工艺SRAM芯片电磁敏感度的温度效应[J]. 工程力学.
Temperature effect on electromagnetic sensitivity of SRAM chips in SI and SOI technologies[J]. Engineering Mechanics.
Citation: Temperature effect on electromagnetic sensitivity of SRAM chips in SI and SOI technologies[J]. Engineering Mechanics.

SI和SOI工艺SRAM芯片电磁敏感度的温度效应

基金项目: 国际级-国家科学基金资助(61604176)

Temperature effect on electromagnetic sensitivity of SRAM chips in SI and SOI technologies

计量
  • 文章访问数:  11
  • HTML全文浏览量:  0
  • PDF下载量:  0
  • 被引次数: 0
出版历程
  • 收稿日期:  2019-08-19
  • 网络出版日期:  2021-02-03

SI和SOI工艺SRAM芯片电磁敏感度的温度效应

    基金项目:  国际级-国家科学基金资助(61604176)

摘要: 考虑到芯片实际应用环境的复杂性,针对体硅(SI)和绝缘体上硅(SOI)两种工艺的静态随机存储器(SRAM),测试研究温度效应分别对这两种不同工艺存储器芯片敏感度的影响. 依据两种工艺下金属氧化物半导体(Metal Oxide Semiconductor, MOS)器件结构的异同,对两种工艺下MOS器件的温度效应进行对比分析;结合温箱和直接功率注入法(DPI)的测试设备搭建了一个可用于评估温度和电磁干扰(EMI)共同作用到静态随机存储器的测试平台. 通过理论与试验研究发现随着温度的升高,两款不同工艺的SRAM存储器芯片敏感度阈值都会增加,且在100 MHz之后SOI工艺的敏感度阈值增加普遍大于SI工艺. 这对于SOI和SI工艺集成电路在高低温环境下电磁兼容性的研究具有一定意义.

English Abstract

吴旭景, 王蒙军, 吴建飞, 李彬鸿, 郝宁, 高见头, 李宏, 张红丽. SI和SOI工艺SRAM芯片电磁敏感度的温度效应[J]. 工程力学.
引用本文: 吴旭景, 王蒙军, 吴建飞, 李彬鸿, 郝宁, 高见头, 李宏, 张红丽. SI和SOI工艺SRAM芯片电磁敏感度的温度效应[J]. 工程力学.
Temperature effect on electromagnetic sensitivity of SRAM chips in SI and SOI technologies[J]. Engineering Mechanics.
Citation: Temperature effect on electromagnetic sensitivity of SRAM chips in SI and SOI technologies[J]. Engineering Mechanics.

目录

    /

    返回文章
    返回